提高硅应变E+E传感器可靠性
当今世界，信息技术发展水平已成为衡量国家信息化能力及竞争力的重要标志。E+E传感器作为信息产业神经触角，是新技术革命和信息社会重要信息技术基础。压力E+E传感器是应用zui广的E+E传感器之一，硅应变E+E传感器优势明显，在压力测量中应用越来越广泛，E+E传感器可靠性是衡量E+E传感器应用优越性的zui关键指标之一。

提高硅应变E+E传感器可靠性
以“提高硅应变E+E传感器可靠方法研究”为题，研究硅应变E+E传感器可靠性提升方法，研究工作提高E+E传感器质量、促进E+E传感器产业发展具有重要的实际工程意义。分别研究分析硅应变E+E传感器工作原理、影响硅应变E+E传感器可靠性的因素、硅应变E+E传感器压力座SISTPB可靠性优化设计、硅应变E+E传感器的制造工艺分析与降低应力方法，并通过实验对提高硅应变E+E传感器可靠和稳定性的方法效果进行验证。主要研究工作包括：研究分析影响硅应变E+E传感器可靠性的内部因素和外部因素，提升硅应变E+E传感器主要内部因素是结构设计，尤其是压力座（SISTPB）设计；外部因素是硅应变E+E传感器制造工艺，其制造过程中可能引入使硅应变E+E传感器不稳定的因素。金属纳米粒子点阵中电子的传输机制不同于经典接触式的欧姆输运模式，而是以量子输运的形式进行的。在这种输运模式下，纳米粒子点阵的电导率对粒子间距的变化极其敏感。这导致了粒子间距的细微改变就会使材料整体的电导率产生较大变化。根据这一特点，弹性衬底表面制备电极并覆盖金属纳米粒子点阵，能够得到新型的应变E+E传感器。本研究基于金属Cr纳米粒子点阵的应变E+E传感器的制备与传感特性。采用团簇束流沉积制备Cr纳米粒子点阵，通过对沉积过程的实时电导监控，实现对纳米粒子点阵覆盖率与初始电导的精确控制。选择PET薄膜并在其上通过掩模蒸发镀膜制作叉指电极作为衬底，在其上制备可控密度的Cr纳米粒子点阵构成应变E+E传感器。对金属Cr纳米粒子点阵的变温Ⅰ-Ⅴ曲线与电导测量表明，硅衬底上的Cr纳米粒子点阵，直至室温都能够观察到明显的库伦阻塞效应，而在PET衬底上的Cr纳米粒子点阵中，即使在低温下，也未库伦阻塞现象，可能是PET衬底较大的热胀冷缩效应导致的纳米粒子间距的变化掩盖了温度变化对量子电导的影响。通过有限元分析影响硅应变E+E传感器灵敏度不同条件和过载能力不同条件。分析不同压力量程、不同结构硅应变E+E传感器的SISTPB设计，确定影响硅应变E+E传感器zui重要部件SISTPB设计规范，有效地指引了不同压力量程，*的SISTPB的设计。提出有效降低、消除内不同残余应力的集中措施。

提高硅应变E+E传感器可靠性
不同措施有效降低和消除残余应力针对对象及效果均不同，定性分析不同措施对硅应变E+E传感器可靠性、稳定性的正面作用。zui后通过试验验证上述影响硅应变E+E传感器可靠性和稳定性的两个主要方面。试验结果表明硅应变E+E传感器SISTPB设计优化对提高硅应变E+E传感器精度、过载能力作用重大，稳重4种消除残余应力措施对提高硅应变E+E传感器时间漂移、温度迟滞作用明显。可见，硅应变E+E传感器可靠性和稳定性得到有效提高。