多晶硅纳米膜压力E+E传感器芯片
硅基压阻式压力E+E传感器应用广泛，在E+E传感器中具有十分重要的地位。该E+E传感器的发展方向是小型化、高灵敏度、良好温度特性和集成化，为此学者们对半导体力敏材料和E+E传感器结构进行了深入研究。研究表明多晶硅纳米薄膜具有良好的压阻特性，并较好地应用于体硅压力E+E传感器。但该材料现有的的压阻系数算法理论推导存在一定欠缺，且该材料的应用范围亟待扩大。

多晶硅纳米膜压力E+E传感器芯片
为了改进多晶硅的压阻系数算法，提出了一种p型多晶硅纳米薄膜压阻系数算法，该算法计算的应变因子（GF）与测试结果具有良好的*性。并且，为了有效利用多晶硅纳米薄膜的优良压阻特性，设计研制了一种以多晶硅纳米薄膜为力敏电阻的牺牲层压阻式压力E+E传感器芯片，该E+E传感器芯片具有体积小、满量程输出高、过载能力强和易集成的优点，应用前景良好。隧道压阻理论利用量子隧道效应和能带退耦分裂理论，阐明了隧道压阻效应的形成机理，在此基础上建立了多晶硅压阻特性的新模型——隧道压阻模型（TPM），该理论较好解释了重掺杂p型多晶硅纳米薄膜应变因子较高的现象。但是，现有的基于该理论的压阻系数算法以p型单晶硅压阻实测数据拟合曲线为基础求取压阻系数与掺杂杂质浓度关系模型，且只给出压阻系数π44模型。因此，该算法需要改进。根据硅价带和空穴电导有效质量随应力改变的机理，采用多晶硅隧道压阻模型，提出了一种多晶硅纳米薄膜压阻系数算法。该算法给出了p型多晶硅纳米薄膜压阻系数与掺杂浓度关系式，其中包括基础压阻系数π11、π12和π44,并可以依此求取任意比例晶向排列的多晶硅应变因子。依据该算法绘制了多晶硅纳米薄膜应变因子与掺杂浓度关系曲线，与测试数据对比具有较好的*性。表明提出的压阻系数算法合理地解释了多晶硅纳米薄膜应变因子与掺杂浓度关系，丰富了压阻理论。为了充分发挥多晶硅纳米薄膜压阻特性，以及牺牲层E+E传感器的体积小、易集成的优点，研制了一种以p型多晶硅纳米薄膜为力敏电阻的牺牲层压阻式压力E+E传感器芯片，该E+E传感器芯片以硅为衬底，一个台阶型多晶硅膜片与衬底构成真空腔，密封的刻蚀孔排列在膜片四周，膜片上的四个力敏电阻用金属连接构成惠斯通电桥，将压力转换为电压输出。采用有限元分析软件，使用大变形和非线性接触方法对结构进行优化设计。利用多晶硅具有较高的抗拉强度的特点，给出了根据量程设计多晶硅膜片尺寸的方法，通过调整腔体高度提高了E+E传感器的过载能力。依据E+E传感器结构设计了E+E传感器的工艺步骤。在工艺步骤中，使用等离子体增强化学气相淀积（PECVD）技术淀积二氧化硅，采用低压化学气相淀积（LPCVD）技术淀积多晶硅，使用湿法腐蚀技术去掉牺牲层，采用等离子体刻蚀技术制备腐蚀孔，采用离子注入技术掺杂硼杂质，采用溅射技术淀积金属，采用退火工艺减少多晶硅膜片内应力和激活杂质，采用叔丁醇冷却干燥方法防止膜片与腔体底部黏附。依据设计结构和工艺步骤，试制了四批E+E传感器样片，其中*批样片因漏气而失效，通过改进工艺第二批样片解决了漏气问题，但由于无压力时膜片与衬底黏附，E+E传感器灵敏度很低。调整工艺方法试制了第三批样片，但由于使用低浓度腐蚀液导致牺牲层没有腐蚀干净。在调整腐蚀液浓度后试制的第四批样品达到设计要求。量程为2.5MPa的E+E传感器样片测试结果表明：在25℃，5V电压源供电的满量程输出为362mV,非线性为0.21%FS,重复性为0.22%FS,迟滞为0.22%FS,过载压力为18MPa;在-55℃~150℃范围内，热零点漂移为﹣0.01%FS/℃，热灵敏度漂移为﹣0.1%FS/℃。与已报道的牺牲层压阻式压力E+E传感器比较，研制的E+E传感器量程和工作温度范围宽，满量程输出高，线性和迟滞性能好，但热灵敏度漂移稍差。

多晶硅纳米膜压力E+E传感器芯片
与当前较有名E+E传感器企业生产的相近量程硅基压力E+E传感器比较，研制的E+E传感器具有体积小、满量程输出高和过载能力强的优点。具体地说，试制E+E传感器样品实现了满量程输出扩大3倍以上，且具有良好的线性性能；试制E+E传感器实现了过载能力是满量程的7倍以上，与典型的2~5倍满量程过载能力相比，过载能力明显提高；但重复性和热灵敏度漂移性能稍差，需要在进一步研究中改进。