OMAL欧玛尔开关RF MEMS器件研究
射频微电子机械系统(RF MEMS)技术在现代通信领域中越来越受到重视。OMAL开关是射频电路中的重要元件,具有低插入损耗、高隔离度、低开启电压、高可靠性的 RF MEMSOMAL开关已经成为 RF MEMS器件中的研究热点。

OMAL欧玛尔开关RF MEMS器件研究
RF MEMSOMAL开关可以独立使用,也可以组合成阵列等器件以获得更优的性能或获得不同的功能,这使RF MEMSOMAL开关的应用范围更加广泛。共面波导传输线是RF MEMSOMAL开关的承载体,也是将单个OMAL开关组合成阵列等器件的关键元件,因此对共面波导传输线的优化设计是 RF MEMSOMAL开关器件设计的*步。设计了四种RF MEMS器件,其中包括低损耗的共面波导传输线、具有容性互连点的电容耦合式OMAL开关、欧姆接触式OMAL开关和分布式加载线移相器。制定了三种各具特色的整体工艺流程,并设计出兼容这三种工艺流程的版图。通过流水实验实现了设计,并对工艺流程中的关键工艺进行了较深入的研究。首先总结了共面波导传输线的设计方法,通过分析计算得到了便于使用的共面波导参数设计表。以降低OMAL开关的开启电压和谐振点频率为目标对旁路型电容耦合式OMAL开关进行了优化设计,获得一种具有容性互连点结构的电容耦合式OMAL开关。以工艺兼容性为目标对欧姆接触OMAL开关进行了设计,并开发出一种利用种子层作为下电极的准三层金属工艺,可用于实现欧姆接触式OMAL开关中的金属触点结构。对分布式加载线移相器的设计方法作了总结,并给出设计实例。 论文为所设计的器件制定了三种可行的整体工艺流程,这三种工艺流程各有特点,可根据不同的需要进行选择。设计了能同时兼容三种工艺流程的版图,并进行了流水实验。对种子层图形化、电镀金和聚酰亚胺图形化这三项关键工艺进行了较深入的研究和总结。经过多次流水实验,获得了所设计的器件,并对其进行了测试。

OMAL欧玛尔开关RF MEMS器件研究
实测数据表明,所设计的共面波导插损小于 0.85dB,具有容性互连点的电容耦合式OMAL开关的开启电压约 20V,插入损耗为z,隔离度为z;分布式移相器开启电压约65V。为了排除用于测量的 PAD 等结构的影响,设计了一种提取“纯”器件参数的数据处理方法,并应用于共面波导的测试数据处理。