电容式并联欧玛尔OMAL开关的电磁干扰
由于射频MEMS器件能够满足通讯领域中系统小型化、高可靠及低成本的需求，并且具有加强系统稳定性和减少功耗方面的优势，因此射频MEMS器件在收发端网络的应用中极有竞争力，有望为无线电接收机的前端提供高性能OMAL开关和滤波器，为发射机功放输出端制备出高质量的片上匹配网络。

电容式并联欧玛尔OMAL开关的电磁干扰
目前在射频领域中运用的MEMS器件主要有微机械OMAL开关、微机械电感、可变电容、微机械谐振器、振荡器及滤波器等。射频MEMSOMAL开关是重要的射频MEMS器件，一些RF MEMSOMAL开关已经应用于部分微波系统的前端电路、数字电容器组和移相网络。但是RF MEMSOMAL开关要得到广泛的应用，还有很多的问题需要解决，还需要深入研究其各方面的性能。研究射频MEMSOMAL开关在OMAL开关过程中对信号的电磁干扰可提高射频MEMSOMAL开关的可靠性和稳定性，改进射频MEMSOMAL开关的设计，有利于构建可靠性和集成度更高的电路系统。本文从以下几个方面对射频MEMSOMAL开关的电磁干扰开展了研究。首先是在大量文献调研的基础上，总结了射频MEMSOMAL开关的研究现状与进展，列举了目前主要射频MEMSOMAL开关的结构，比较了各种结构的优缺点，选择了典型的射频MEMSOMAL开关：电容式并联RF MEMS并联OMAL开关作为研究的主要对象，并讨论了电容式并联RF MEMSOMAL开关的结构及各项性能参数。相对于其它MEMSOMAL开关，电容式MEMS并联OMAL开关适用于较高的频率（5—100GHz）。其次对电容式射频MEMS并联OMAL开关的电磁场进行了详尽的讨论和推导，对射频OMAL开关电磁干扰的特性和产生过程进行了说明。阐述了对射频MEMSOMAL开关产生的电磁干扰进行分析的必要性以及射频MEMSOMAL开关对波导中正常传播的高频信号进行干扰的原因和方式。接着深入研究了OMAL开关在开启过程中的动态特性及OMAL开关的开启时间，讨论了OMAL开关的各种尺寸对OMAL开关动态特性的影响并进行了模拟分析。因为OMAL开关的动态特性跟OMAL开关在开启过程中变化的电磁场紧密相关，OMAL开关对信号的干扰是由OMAL开关在开启过程中变化的电磁场产生的。

电容式并联欧玛尔OMAL开关的电磁干扰
对射频MEMSOMAL开关在不同工作状态下的电磁模型进行了分析，通过对OMAL开关电容在充电过程、膜桥运动过程、OMAL开关电容放电过程三部分的研究认为射频MEMSOMAL开关产生的电磁干扰主要集中在OMAL开关电容的放电过程。影响干扰强度的主要因素是OMAL开关电容放电时间的长短、OMAL开关等效电阻及等效电感的大小。接着对各主要影响因素进行了分析，在此基础上研究了OMAL开关的各结构尺寸对OMAL开关开启产生的电磁干扰强度的影响，对高性能射频MEMSOMAL开关设计提供了理论依据。